| 专利名称 | 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 | 申请号 | CN200710178311.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447484 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英;叶甜春 | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 至单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极管材料 结构，该结构由GaAs基MHEMT和PIN二极管两部分组成，所述GaAs 基MHEMT和所述PIN二极管被N型高掺杂腐蚀截止层InP隔开；所 述GaAs基MHEMT由在GaAs衬底上依次分子束外延生长的缓冲层 GaAs、应变缓冲层InxAl1-xAs、沟道下势垒层In0.52Al0.48As、沟道层 In0.53Ga0.47As、空间隔离层In0.52Al0.48As、平面掺杂层、势垒层 In0.52Al0.48As和N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As构成；所述N型高掺杂 腐蚀截止层InP在所述N型高掺杂盖帽层In0.53Ga0.47As上分子束外延 生长而成；所述PIN二极管由在N型高掺杂腐蚀截止层InP上依次分 子束外延生长的N型掺杂层In0.53Ga0.47As、不掺杂层In0.53Ga0.47As和P 型掺杂层In0.53Ga0.47As构成。本发明将GaAs基MHEMT和PIN二极 管集成在同一块衬底上，实现单片集成GaAs基MHEMT和PIN二极 管。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障