| 专利名称 | 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 | 申请号 | CN200710178310.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101447449 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英;叶甜春 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 至制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管的 方法，该方法依次包括以下工艺步骤：光刻PIN上电极、蒸发上电极 金属、剥离上电极金属、PIN台面腐蚀隔离、同时光刻PIN下电极和 PHEMT源漏，蒸发PIN下电极和PHEMT源漏金属、剥离PIN下电极 和PHEMT源漏金属、欧姆接触合金、PHEMT台面腐蚀隔离、PHEMT 栅光刻、栅槽腐蚀、蒸发栅金属、剥离栅金属、生长钝化介质、刻孔、 一次布线光刻、蒸发布线金属、剥离布线金属。本发明将GaAs基 PHEMT和PIN二极管集成在同一块衬底上，实现了单片集成GaAs基 PHEMT和PIN二极管。 |
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