| 专利名称 | 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201210093601.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610715A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 至纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底，能很好地释放应力，从而降低Droop效应，增加LED的发光效率。 |
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