| 专利名称 | 一种超分辨i线光刻装置 | 申请号 | CN200810246604.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101446777 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;陈旭南;甘大春;刘尧;赵泽宇;方亮;邢卉;崔建华 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超分辨i线光刻装置 至一种超分辨i线光刻装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种超分辨i线光刻装置，包含分离式曝光系统、自净化空气过滤系统以及气控弹性掩 膜变形系统；曝光系统采用i线汞灯光源，且光源与匀光照明系统分离，两部分间光能传输 通过光纤实现；气控弹性掩膜变形系统中，通过微气泵来改变气压大小使弹性掩膜发生变形， 掩膜与芯片的紧密贴合通过控制弹性掩膜变形量的大小得以实现，从而可以得到超分辨光刻 分辨力；自净化空气过滤系统，通过装置壳体顶部的空气过滤器循环过滤实现装置内部工作 环境达到超净要求；通过包含上述系统的装置，实现在汞灯光源i线紫外光波长下突破一百 纳米的超分辨近场光刻功能；该装置光刻分辨力高，结构简单，成本低，操作方便，对环境 要求较低，适用于多种纳米结构加工领域。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障