| 专利名称 | 改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法 | 申请号 | CN200710178317.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101446758 | 公开（授权）日 | 2009.06.03 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 欧毅;史海涛;陈大鹏;景玉鹏;李超波;焦斌斌 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G01J5/08(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 专利有效期 | 改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法 至改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整度的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善微机械非制冷红外成像芯片中反光板平整 度的方法，包括：在硅衬底正面涂光学光刻胶，光刻曝光出反光板加 强筋图形；刻蚀硅衬底上的反光板加强筋图形；在硅衬底双面生长氮 化硅；在硅衬底背面涂光学光刻胶，光刻曝光得到背面腐蚀窗口图形； 刻蚀背面腐蚀窗口的氮化硅；在硅衬底正面套版光刻出反光板及回折 梁图形，蒸发金属铬层并超声剥离；刻蚀硅衬底正面的氮化硅；去除 作为掩蔽层的金属铬，得到反光板和回折梁图形；在硅衬底正面套刻 反光板图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；在硅衬底正面套刻 回折梁图形，在曝光显影后蒸发铬/金，超声剥离；去除反光板和回折 梁下方的硅衬底，释放结构。本发明提高了最终的红外成像效果。 |
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