| 专利名称 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201110027223.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102603203A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 高彦峰;刘新玲;康利涛;罗宏杰;金平实 | 主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | IPC主分类号 | C03C17/23(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化钒薄膜的制备方法 至一种二氧化钒薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二氧化钒薄膜的制备方法，包括如下步骤：1）将带羟基的羧酸溶解于双氧水中，并用氨水调节溶液的pH值大于7；然后加入硫酸氧钒，获得反应溶液，反应完成后，加入有机溶剂，静置，生成沉淀，分离沉淀，得到钒的过氧配合物；2）将步骤1）所得钒的过氧配合物和和添加剂溶解于水中形成水溶液，将所述水溶液镀膜于衬底上，然后在惰性气氛中经热处理后得到二氧化钒薄膜。本发明所提供的二氧化钒薄膜的制备方法，所涉及工艺简单，所得薄膜光学调控性能良好。本发明所制得二氧化钒薄膜可应用于智能温控涂层、光致开关以及存储器等领域。 |
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