| 专利名称 | 一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器 | 申请号 | CN201110388137.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102412789A | 公开（授权）日 | 2012.04.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈岚;俞思辰;吕志强 | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I | IPC主分类号 | H03F1/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器 至一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种低噪声放大器的元件参数确定方法及低噪声放大器。所述方法包括：根据所述低噪声放大器的电路结构和信号源建立小信号噪声等效模型；根据所述小信号噪声等效模型，建立所述低噪声放大器的噪声因子公式；根据所述噪声因子公式，计算噪声因子最小时信号源的内阻RS以及第一电感LB所对应的数学解析式；建立所述低噪声放大器的输入电阻公式：联立上述公式、以及数学解析式，得到对应的电容、电感的器件参数值。采用本发明的方法设计的低噪声放大器，在功率约束(即低功耗)的条件下，能够具有低噪声的性能。 |
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