| 专利名称 | 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法 | 申请号 | CN201110033252.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623484A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李宜瑾;宋志棠;凌云;刘燕;刘波;龚岳峰;张超;吴关平;杨左娅 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法 至相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种相变存储器的选通二极管阵列及其制备方法，所述制备方法包括：在P型半导体衬底表面进行离子注入，退火生成重掺杂的N型半导体层；在重掺杂的N型半导体层的表面进行外延生长，形成本征半导体层；进行刻蚀工艺以形成用于隔离字线的第一沟槽；在第一沟槽内进行沉积以形成作为相邻字线之间隔离的第一隔离层；再进行刻蚀工艺以形成第二沟槽；在第二沟槽内进行沉积以形成第二隔离层；在本征半导体层内进行离子注入以形成选通二极管；字线的宽度至少为选通二极管的宽度的一倍以上；形成位于字线之上的字线引出电极。相较于现有技术，本发明可以提高选通二极管驱动电流以及降低串扰电流，确保存储器读写操作的一致性和稳定性。 |
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