| 专利名称 | 氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201110333843.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102507531A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;王晓天;佘广为;穆丽璇 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用 至氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于表面增强拉曼散射效应的纳米结构器件，特别涉及具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底和制备方法，以及用这种基底进行溶液中联吡啶钌分子的检测。本发明利用电化学的方法，在ITO导电玻璃的表面制备出氧化锌纳米棒阵列，从而制备得到了具有良好生物兼容性的氧化锌基半导体的拉曼散射增强基底。 |
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