| 专利名称 | 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 | 申请号 | CN201110343625.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102502481A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 毛旭;方志强;杨晋玲;杨富华 | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 至基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组，其中：真空腔室，用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置，位于真空腔室内部的支架平台上，用于对待键合圆片提供键合压力，并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源，通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连，为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流，实现局域电阻加热；真空泵组，连接于真空腔室底部，用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置，结构紧凑，制作和组装简单，在高真空或可控惰性气体中完成键合，可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。 |
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