| 专利名称 | 一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法 | 申请号 | CN200710177796.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101442104 | 公开（授权）日 | 2009.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 甄丽娟;商立伟;刘兴华;刘明 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法 至一次掩膜光刻同时定义有机薄膜晶体管源漏栅电极的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，利用一次掩膜光刻同 时定义出有机薄膜晶体管的源漏栅电极，包括：在衬底正面形成具有透光 性的有机绝缘栅介质层；用保护卡具保护有机绝缘栅介质层，腐蚀衬底的 背面至介质层镂空；在有机绝缘层正面和背面涂光刻胶，从正面对光刻胶 进行曝光，同时曝光背面光刻胶，在显影液中显影，形成源漏电极的正性 光刻胶掩模版和栅电极的负性光刻胶掩模版；在有机绝缘介质层正面、正 性光刻胶掩模版、有机绝缘介质层背面和负性光刻胶掩模版上形成金属 层，剥离形成源、漏、栅电极；在有机绝缘介质层正面，源漏电极上形成 有机半导体层。本发明能够与传统的硅平面工艺兼容，制备的有机薄膜晶 体管器件寄生电容小高频特性好。 |
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