| 专利名称 | GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 | 申请号 | CN201110419761.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102509718A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王双福;罗乐;徐高卫;韩梅 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 至GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种GaAs?CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。 |
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