| 专利名称 | 一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法 | 申请号 | CN201110375016.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102509721A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;王显泰;苏永波;郭建楠;金智 | 主分类号 | H01L21/8252(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8252(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法 至一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层结构；对该5层叠层结构中InP基片的背面进行研磨减薄和抛光；在该InP基片背面的抛光面上制作Ni掩膜层；采用HF酸腐蚀去除部分Ni掩膜层；用HBr气体从该InP基片背面进行刻蚀，刻穿InP衬底及衬底正面的外延层，直至外延层上的MMIC电路；在该Ni掩膜层上溅射Ti/Au起镀层；在该Ti/Au起镀层上电镀Au；超声剥离该Ti/Au起镀层之外的Au，得到背面金属结构；融化高温石蜡，分离该5层叠层结构中的蓝宝石双面抛光片。 |
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