| 专利名称 | 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 | 申请号 | CN200710177795.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101441962 | 公开（授权）日 | 2009.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J1/304(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 至基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件，由氮化 硅薄膜隔离端1、附着有低功函数金属的微尖端2和布有金属导线的布线 凹槽3构成。其中，隔离端1用于在器件工作时避免微尖端与被加工材料 接触，控制微尖端与被加工材料表面的距离；微尖端2用于根据尖端放电 的原理，当在焊盘与所要加工的材料之间加上一微小电压时，尖端处产生 很强的电场，造成大量电子穿透势垒逸出；布线凹槽3用于附着或容纳作 为导线的金属，作为线路通道实现对各个微尖端的控制。本发明同时公开 了基于场致电子发射原理的微尖端阵列器件的制作方法。利用本发明，实 现了高分辨率纳米级图形加工和高密度数据存储，解决了单探针工作效率 低的问题。 |
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