| 专利名称 | 一种制作纳米级图形的方法 | 申请号 | CN200710177797.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101441410 | 公开（授权）日 | 2009.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 傅剑宇;陈大鹏;景玉鹏;欧毅;叶甜春 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作纳米级图形的方法 至一种制作纳米级图形的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作纳米级图形的方法，该纳米级图形是将图形数 据转化成二进制信号控制微动台二维x-y方向的运动和金属尖端电压的加 载，利用尖端加载电压后产生的电子束对电子抗蚀剂进行曝光获得的，包 括：在样品表面涂上一层电致抗蚀剂薄膜，在微动台上固定金属微尖端； 将涂有电致抗蚀剂薄膜的样品加载到微动台上，与微尖端保持一定的距 离；将装载有金属尖端和样品的微动台放置到真空腔体中，并利用真空泵 对腔体抽真空；利用软件编程将被加工图形数据转换成二进制信号，用该 二进制码控制微动台做二维x-y方向的运动，并给金属微尖端加载电压， 通过在强电场下尖端发射的低能电子束对电子抗蚀剂进行曝光；对曝光后 的样品进行显影、定影。本发明有效地解决了浸没式光刻成本高和聚焦电 子束存在邻近效应影响分辨率的问题。 |
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