| 专利名称 | 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 | 申请号 | CN200810240275.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101441112 | 公开（授权）日 | 2009.05.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 何伟;明安杰;薛惠琼;焦斌斌;欧毅;陈大鹏 | 主分类号 | G01J5/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/20(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 至基于单晶硅PN结的非制冷红外探测器阵列及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于单晶硅PN结温度特性的非制冷红外探测器阵列及 其制备方法。该阵列的制备方法包括：步骤A.硅片氧化还原，在纵向形成 所述底硅层，埋氧层与顶硅层，同时通过底硅刻蚀，形成深槽，填充及平坦 化，以在横向划分红外探测单元；步骤B.在每一红外探测单元中的顶硅层 设置数个串联的单晶硅PN结；步骤C.在每一红外探测单元中形成所述电气 连接布线，在所述单晶硅PN结与所述电气连接线上形成钝化层；步骤D、 在每一红外探测单元中制作悬空的绝热悬臂梁，刻蚀所述底硅层，形成所述 空腔。本发明利用单晶硅PN结的良好的温度特性，通过测量单晶硅PN结两 端的电压的变化，以获得红外辐射强弱的探测结果。 |
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