| 专利名称 | 一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构 | 申请号 | CN200810239758.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101436636 | 公开（授权）日 | 2009.05.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 赵雷;王文静 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构 至一种用于n型硅的透明导电阴极接触结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种用在n型硅上的透明导电阴极接触结构，其基本特征在于：在n型硅(1)上是LiF 层(2)，然后在LiF层(2)上是透明导电电极(3)。LiF层(2)可以降低n型硅(1)与透 明导电电极(3)之间的接触势垒，提高电子的收集或注入效率。 |
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