| 专利名称 | 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法 | 申请号 | CN200810207453.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101436614 | 公开（授权）日 | 2009.05.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I | 专利有效期 | 基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法 至基于含锑的肖特基二极管及自对准制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于含锑的肖特基二极管，其包括：轻掺杂的半导体层及与所述轻掺杂 的半导体层紧密接触的金属层，其中所述金属层含锑。此外，本发明还提供多种自对准制造 基于含锑的肖特基二极管阵列的方法，首先在本征或第一导电类型半导体基底上形成第二导 电类型的重掺杂层，然后在第二导电类型的重掺杂层上形成第二导电类型的轻掺杂区，接着 采用自对准法在轻掺杂区沉积含锑的金属区，使各金属区与相应的轻掺杂区形成肖特基接触 进而制造出肖特基二极管阵列。 |
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