| 专利名称 | 电阻转换存储器及其制造方法 | 申请号 | CN200810207813.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101436607 | 公开（授权）日 | 2009.05.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;陈小刚;顾怡峰;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 电阻转换存储器及其制造方法 至电阻转换存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据 存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少 一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为 电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导 电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望 在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。 |
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