| 专利名称 | 带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源 | 申请号 | CN200910087341.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101923366A | 公开（授权）日 | 2010.12.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 范涛;袁国顺 | 主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | IPC主分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 专利有效期 | 带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源 至带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种带熔丝校准的CMOS带隙基准电压源，包括：PTAT电流产生电路，用于产生与绝对温度成正比的PTAT电流IPTAT；CTAT电流产生电路，用于产生CTAT电流ICTAT；闭环补偿电流产生电路，用于产生闭环补偿电流ICL；熔丝校准电路，用于对工艺偏差进行校准；输出基准电压产生电路，用于产生参考电压源Vref；所述PTAT电流产生电路与CTAT电流产生电路相连接，所述CTAT电流产生电路与闭环补偿电流产生电路相连接，所述输出基准电压产生电路分别与CTAT电流产生电路和闭环补偿电流产生电路相连接。利用本发明，有效地提高了补偿电流的精确度，进而提高了输出参考电压的温度稳定性。 |
1、源头对接，价格透明
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