| 专利名称 | 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法 | 申请号 | CN200910045441.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101504969 | 公开（授权）日 | 2009.08.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吕士龙;宋志棠;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有新型电极结构的相变存储器的制备方法 至具有新型电极结构的相变存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种具有新型电极结构的相变存储器的制备方法，包括如下步 骤：在硅片上面应用化学气相沉积的方法制备一层SixN介质层；依次沉积Al 层、Ti层、TiN层，使其作为底层电极；在上述底层电极上使用超高真空电子束 蒸发法制备SixO作为绝缘层；旋涂负性抗蚀剂；利用电子束曝光制备设定长度 直径圆的阵列以及后续光刻的对准标记；刻蚀所述氧化硅，形成氧化硅柱的阵列； 使用化学气相沉积法沉积金属材料钨，使其均匀包裹氧化硅柱；沉积相变材料； 沉积氧化硅作为介质保护层；氧化硅开孔；顶层电极制备。本发明可以有效地降 低热传导速率，降低热量在该部分体积中的损失；同时可以将高温点向相变材料 层转移，更有利于器件性能的提升。 |
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