| 专利名称 | 电阻转换存储器及其制造方法 | 申请号 | CN200810202824.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101504949 | 公开（授权）日 | 2009.08.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 电阻转换存储器及其制造方法 至电阻转换存储器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，所述电阻转换存储器包括：基底、逻辑 电路、字线、位线、若干分立的存储单元、隔离单元；通过扩散效应，使所述存储单元中存 储材料的部分原子扩散到第一导电类型的半导体字线中，在接触界面形成对半导体字线的综 合效应为第二导电类型的掺杂；经存储材料原子扩散掺杂形成的第二导电类型区域与第一导 电类型半导体字线之间形成二极管，该二极管作为选通单元对上方的存储单元进行选通。电 阻转换存储器所采用的存储材料在器件中具有多种功能，既作为高、低电阻转换的媒介材料， 同时也是杂质材料，能通过扩散效应对与其接触的半导体进行掺杂，从而用简便的方法形成 二极管作为逻辑单元选通存储器单元。 |
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