| 专利名称 | 或非门逻辑电路及其形成方法 | 申请号 | CN200810227463.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101431330 | 公开（授权）日 | 2009.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英 | 主分类号 | H03K19/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/20(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 或非门逻辑电路及其形成方法 至或非门逻辑电路及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及或非门逻辑电路及其形成方法。该或非门逻辑电路，包括： 两个输入端，分别用于接收输入电压信号；两个增强型背栅氧化锌纳米线场 效应晶体管，其栅电极分别耦接至两个输入端，其源电极分别耦接至接地点； 一耗尽型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其漏电极耦接至电压源，其栅电 极、其源电极、以及两个增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦 接于一点，以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米 线材料和氧化锌纳米线场效应晶体管制作技术以及互连技术，实现基于氧化 锌纳米线场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或非门逻辑电路。 |
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