| 专利名称 | 或门逻辑电路及其形成方法 | 申请号 | CN200810227462.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101431329 | 公开（授权）日 | 2009.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英 | 主分类号 | H03K19/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H03K19/20(2006.01)I;H03K19/0944(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 或门逻辑电路及其形成方法 至或门逻辑电路及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及或门逻辑电路及其形成方法。该或门逻辑电路，包括第一输 入端，接收第一输入电压信号；第二输入端，接收第二输入电压信号；第一 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第一输入端； 第二增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管，其栅电极耦接至所述第二输入 端；第一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极与第二增强型背栅 氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接至电压源；这两个增强型背栅氧化 锌纳米线场效应晶体管的源电极耦接于一点，该点通过一电阻耦接至接地点， 同时以该点作为输出端，用于输出电压信号。本发明实现基于氧化锌纳米线 场效应晶体管的直接耦合场效应逻辑的或门逻辑电路。 |
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