非门逻辑电路及其形成方法

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专利名称 非门逻辑电路及其形成方法 申请号 CN200810227459.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101431328 公开(授权)日 2009.05.13 申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 徐静波;张海英 主分类号 H03K19/20(2006.01)I IPC主分类号 H03K19/20(2006.01)I;H03K19/094(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 专利有效期 非门逻辑电路及其形成方法 至非门逻辑电路及其形成方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及非门逻辑电路及其形成方法。该非门逻辑电路,包括:一输 入端,用于接收输入电压信号;一增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管, 其栅电极耦接至所述输入端,其源电极耦接至接地点;一耗尽型背栅氧化锌 纳米线场效应晶体管,其漏电极耦接至电压源,其栅电极、其源电极、以及 所述增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管的漏电极耦接于一点,以该点作 为输出端,用于输出电压信号。本发明利用氧化锌纳米线材料和氧化锌纳米 线场效应晶体管制作技术以及互连技术,实现基于氧化锌纳米线场效应晶体 管的直接耦合场效应逻辑的非门逻辑电路。

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