| 专利名称 | 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN200810227461.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101431028 | 公开（授权）日 | 2009.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英;黎明;付晓君 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I | 专利有效期 | 增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 至增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及增强型背栅氧化锌纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制 备方法包括：在P+-Si衬底的正面生长栅氧介质SiO2；在P+-Si衬底的背面 形成背栅电极；在P+-Si衬底的正面形成定位标记；在P+-Si衬底的正面完 成氧化锌纳米线的转移和淀积；在P+-Si衬底的正面完成纳米线的定位；在 P+-Si衬底的正面制作源漏电极；退火处理。本发明提供的增强型背栅氧化 锌纳米线场效应晶体管制备方法，实现了阈值电压大于零伏的增强型背栅氧 化锌纳米线场效应晶体管。 |
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