| 专利名称 | 一种电阻转换存储单元及其方法 | 申请号 | CN200810200269.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101430930 | 公开（授权）日 | 2009.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;丁晟;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | G11C16/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C16/04(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻转换存储单元及其方法 至一种电阻转换存储单元及其方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体 管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储 单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压 调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶 体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性， 避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相 变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密 度。 |
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