| 专利名称 | 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 | 申请号 | CN200710176930.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101430503 | 公开（授权）日 | 2009.05.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 涂德钰;刘明;谢常青;刘新华;商立伟 | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I;G03F7/26(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I;C23C14/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 至用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于电子束光刻剥离的去除双层胶的方法，包括： 清洗基片，烘干；在基片上旋涂LOR型抗蚀剂作为双层胶的底层胶，烘 干；在LOR层上旋涂ZEP520型电子束抗蚀剂作为顶层胶，前烘；电子束 光刻，对顶层胶进行曝光；对曝光后的顶层胶进行显影、定影，吹干，得 到顶层胶光刻图形；利用顶层胶光刻图形做掩蔽，使用LOR腐蚀剂对底 层胶进行腐蚀，得到所需的内切图形；在得到的内切图形上蒸发金属；依 次去除顶层胶与底层胶，完成剥离工艺，得到所需金属图形。利用本发明， 解决了双层胶的内切结构变得模糊不清的问题，具有分辨率高、可靠性高、 重复性好等优点，在纳米电子器件制备中有着广泛的应用前景。 |
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