| 专利名称 | 一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN200810227456.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101425562 | 公开（授权）日 | 2009.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;刘明;涂德钰;刘舸;刘兴华 | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法 至一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体 管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级 沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半 导体层、栅介质层和栅电极，所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极 从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上；所述源电极上方从下到上依次设有 绝缘层和漏电极，分别与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合 起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。本发明通过控制 绝缘层的厚度来控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，大幅度地降 低制备纳米级沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。 |
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