| 专利名称 | 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 | 申请号 | CN200810238814.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101425505 | 公开（授权）日 | 2009.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 范雪梅;赵超荣;杜寰;胡云中;雒建斌 | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 专利有效期 | 用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 至用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于测量铜引线是否产生凹型坑的电路版图结构， 所述电路版图结构包括一组独立的铜引线十字单元阵列，所述独立十字单 元阵列由至少2个相互独立的十字单元构成，每个独立十字单元由等臂十 字结构的铜引线构成。本发明可以用于电学测量铜引线在CMP过程后是 否产生凹形坑。此方法结构简单，占用版图面积小，便于嵌入版图中，实 验测量方便。采用这种电学方法来测量，不受线条尺寸的影响，可以方便 地对整个芯片进行测量，很好地验证芯片CMP的均匀性。 |
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