| 专利名称 | 一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法 | 申请号 | CN200810203917.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101424615 | 公开（授权）日 | 2009.05.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊巍;袁晖;陈良 | 主分类号 | G01N17/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N17/00(2006.01)I;G01N21/33(2006.01)I | 专利有效期 | 一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法 至一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种评估钨酸铅晶体的抗辐照性能的检测方法，本发明利用PWO 晶体在特定γ射线辐照剂量下与紫外线辐照下的辐照诱导吸收系数之间的线性 关系，通过紫外线辐照晶体结果直接估算该晶体在γ射线辐照后的辐照诱导系 数，从而对PWO晶体的抗γ射线辐照性能进行快速评估。本发明提供的方法采 用简便、安全的紫外线辐照来模拟γ射线辐照效果，大大简化了PWO晶体抗辐 照性能的检测过程。 |
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