| 专利名称 | 一种制备交叉分子电子器件的方法 | 申请号 | CN200710176280.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101420014 | 公开（授权）日 | 2009.04.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 涂德钰;刘明;商立伟;刘新华;谢常青 | 主分类号 | H01L51/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/00(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备交叉分子电子器件的方法 至一种制备交叉分子电子器件的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及微电子学与分子电子学中的微细加工技术领域，公开了一 种制备交叉分子电子器件的方法，包括：在基片上淀积一层绝缘介质；在 该绝缘介质层上旋涂抗蚀剂，在该抗蚀剂上光刻出交叉结构图形；利用抗 蚀剂作为掩蔽刻蚀该绝缘介质层，将交叉结构图形转移到绝缘介质层上， 然后去除多余的抗蚀剂；沿着交叉结构中线条的一个方向，按一定角度蒸 发金属，形成下电极；在下电极上淀积双稳态分子薄膜；沿着交叉结构中 线条的另一个方向，按一定角度蒸发金属，形成上电极。利用本发明，有 效地改避免金属剥离工艺对有机分子造成的损伤，同时具有工艺流程简单 等优点。 |
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