| 专利名称 | 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200810224677.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101414552 | 公开（授权）日 | 2009.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈晨;贾锐;李维龙;朱晨昕;李昊峰;刘明;田继红;路程 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I | 专利有效期 | 高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 至高密度硅纳米晶薄膜的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种高密度硅纳米晶薄膜的制备方法，包括在硅衬底上 形成二氧化硅层；将一氧化硅作为靶材通过电子束蒸发法沉积至上述的二 氧化硅层上，形成混合物薄膜层；向上述的混合物薄膜层中注入硅离子；以 及将混合物薄膜层进行退火，形成高密度的硅纳米晶薄层。本发明通过电 子束蒸发一氧化硅靶材配合离子注入法制备高密度硅纳米晶薄膜，具有工 艺步骤简单、用途多、能与传统Si基CMOS工艺兼容的优点。采用本发明 提供的方法制备的硅纳米晶面密度高达：1012cm-1量级，颗粒直径在5～8 nm范围内。主要应用于硅基第三代太阳能电池芯片关键组件的制备、硅单 电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器的制备等方面，适合大规 模生产的要求。 |
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