| 专利名称 | 基于SiSb复合材料的相变存储器单元 | 申请号 | CN200810203357.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101414481 | 公开（授权）日 | 2009.04.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 基于SiSb复合材料的相变存储器单元 至基于SiSb复合材料的相变存储器单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于SiSb复合材料的相变存储器单元。SiSb是一种复合材料，它既具 备半导体特性，又具有相变特性，在电信号作用下材料具备在高、低电阻间的可逆转换能力。 当SiSb中的硅含量较高(Si含量大于百分之五十原子比)时，SiSb材料为一种n型半导体； 而当SiSb中的硅含量较低(Si含量小于百分之三十原子比)时，SiSb材料为一种相变材料， 以作为相变存储器单元的存储介质。本发明采用n型的SiSb半导体与p型硅形成二极管结构， 并采用较低硅含量的SiSb相变材料作为存储介质，形成1D1R结构(一个二极管和一个电阻)， 从而实现数据的存储功能。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障