| 专利名称 | 一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法 | 申请号 | CN200810227958.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101409311 | 公开（授权）日 | 2009.04.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张天冲;郭阳;梅增霞;顾长志;杜小龙 | 主分类号 | H01L31/109(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/109(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法 至一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基双异质结可见盲紫外探测器及其制造方 法。该器件结构包括：p-Si衬底；MgO绝缘层；n-ZnO基薄膜层；n型 欧姆接触电极；p型欧姆接触电极。该器件的制备方法包括如下步骤： 在清洁的Si衬底上用外延生长设备生长MgO绝缘层，并在MgO上生长 n-ZnO基薄膜层；用公知的光刻技术和公知的金属薄膜沉积方法，在 n-ZnO基薄膜层上沉积n型欧姆接触电极；在Si衬底背面沉积p型欧 姆接触电极。利用这种方法，能够在廉价并且具有成熟集成工艺的半 导体硅衬底上制备出高性能可见盲紫外光电探测器。 |
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