| 专利名称 | 振动场下晶体生长装置和生长方法 | 申请号 | CN200810040954.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101407940 | 公开（授权）日 | 2009.04.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 刘岩;艾飞;潘秀红;张英;金飞;高国忠;冯楚德;金蔚青 | 主分类号 | C30B30/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B30/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 振动场下晶体生长装置和生长方法 至振动场下晶体生长装置和生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法，所述的生长装置包括炉体 (1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6) 和导向杆(7)，其中炉体(1)竖直放置，样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在 炉体(1)中沿垂直方向相对移动，样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器 (4)上；传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接，并带动炉体(1) 沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上，沿导向杆(7)的轴向 上下移动，传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在 晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场，可以有效控制熔体中的对流，改变 固液界面形状，通过探索最佳工艺参数，提高晶体品质和成品率。 |
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