| 专利名称 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | 申请号 | CN200710122478.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101399284 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;唐健;肖红领;王翠梅;冉学军;胡国新;李晋敏 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 至氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括： 一衬底；一低温成核层制作在衬底的上面；一氮化镓 高阻层制作在低温成核层的上面；一铟镓氮插入层制 作在氮化镓高阻层的上面；一低温氮化镓隔离层制作 在铟镓氮插入层的上面；一高迁移率氮化镓层制作在 低温氮化镓隔离层的上面；一氮化铝插入层制作在高 迁移率氮化镓层的上面；一铝镓氮势垒层制作在氮化 铝插入层的上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作 在铝镓氮势垒层的上面，该氮化镓帽层有效抑制了电 流崩塌效应。 |
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