| 专利名称 | 全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN200710122480.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101399227 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王立新 | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 至全自对准条型栅功率垂直双扩散场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体器件及集成电路制造工艺技术领域，公开了一种制 作全自对准条型栅功率DMOS晶体管的方法，包括：A.在衬底上生长外 延，然后进行场区氧化，形成场氧化层；B.刻蚀有源区的场氧化层，进 行栅氧化，淀积多晶硅，对淀积的多晶硅进行掺杂；C.对掺杂后的多晶 硅进行光刻、刻蚀，硼注入，高温推进形成P-阱区；D.对多晶硅进行砷 注入形成浅源区，然后淀积并反刻形成侧墙；E.对多晶硅进行硼注入， 并淀积钴膜，形成钴的硅化物，利用钴的硅化物形成P-阱接触；F.进行 硼磷硅玻璃淀积，光刻与刻蚀引线孔；G.金属溅射并进行光刻与刻蚀。 利用本发明，简化了制作工艺，降低了制作成本，提高了功率DMOS晶 体管的工作频率。 |
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