| 专利名称 | 非挥发存储器的制备方法 | 申请号 | CN200810223345.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101399209 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱晨昕;贾锐;李维龙;陈晨;李昊峰;王琴;刘明 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 专利有效期 | 非挥发存储器的制备方法 至非挥发存储器的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：A.在 半导体衬底上注入杂质形成沟道层；B.在沟道层上依次生长隧穿氧化层、 纳米晶浮栅层、栅氧化层，其中纳米晶浮栅层由快速热退火方法形成；C. 进行形成台面的工序；D.进行形成栅区以及分别形成源电极、漏电极和栅 电极的工序。通过采取快速热退火的方式得到纳米晶层，并采用与耗尽型 MOS器件制作工艺相兼容的流程最终可完成三端耗尽型MOS纳米晶浮栅型 非挥发存储器的制作。该方法简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了 工艺稳定性和制备效率。 |
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