| 专利名称 | 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统 | 申请号 | CN200810223342.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101399184 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘训春;王佳;周宗义;李兵;王建海;黄清华 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 专利有效期 | 一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统 至一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种消除反应离子刻蚀自偏压的方法及系统，属于半导体加工制造 领域。所述方法是：在反应离子刻蚀的反应室的两个电极间并联一个由电感线圈L和 电容C组成的LC谐振回路，LC谐振回路的谐振频率与反应离子刻蚀的反应室的射频 供电电源的频率相同。所述系统包括射频供电模块、匹配器、等离子设备和消除自偏 压模块。本发明通过并联LC谐振回路，可以使常规反应离子刻蚀产生的自偏压通过 电感通路短路，进而使反应离子刻蚀的自偏电压降为零或接近于零，这样可以有效地 降低在反应离子刻蚀时引入的对半导体晶格造成的损伤。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障