| 专利名称 | TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法 | 申请号 | CN200810223349.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101397499 | 公开（授权）日 | 2009.04.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | C09K13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K13/00(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I | 专利有效期 | TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法 至TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是关于一种TaN材料腐蚀溶液以及TaN材料腐蚀方法。该TaN 材料腐蚀溶液，以重量百分比计包括：NH4OH：1.47％-7.26％； H2O2： 3.00％-24.91％； 以及余量的水。所述的TaN材料腐蚀方法，是对于厚度小 于400埃的TaN可采用光刻胶作为掩膜，先以重量百分含量为3.25％-10.44％ 的HF、7.17％-21.95％的HNO3以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀， 再以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH4OH，3.00％-24.91％的H2O2以及余量 的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀；对于厚度大于400埃的TaN，必须采 用硬掩膜，直接以重量百分含量为1.47％-7.26％的NH4OH，3.00％-24.91％的 H2O2以及余量的水组成的溶液对TaN材料进行腐蚀。 |
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