| 专利名称 | 一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途 | 申请号 | CN200710122198.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101393963 | 公开（授权）日 | 2009.03.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王琰;韩秀峰;张晓光 | 主分类号 | H01L43/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/10(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;H01L29/66(2006.01)I;H01L29/82(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途 至一种单晶NaCl势垒磁性隧道结及其用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单晶NaCl势垒磁性隧道结，其包括的核心膜层中的隧道 结势垒层为NaCl(001)单晶绝缘材料组成。该隧道结可以是单势垒的，也可以 是双势垒的。本发明提供的单晶NaCl(001)磁性隧道结可以应用于新型自旋电 子器件设计，例如可用于高灵敏度的磁敏、电敏、光敏和气敏传感器、磁性随 机存取存储器(MRAM)存储单元、磁逻辑、或自旋晶体管等器件单元。本发明 采用单晶NaCl(001)作为磁性隧道结的中间势垒层，在有效提高隧道结隧穿磁 电阻比值的同时能够得到较小的结电阻，并且降低了器件应用上的功耗。同时 单晶NaCl(001)势垒材料的制备工艺简单，成本更加低廉，同时还是资源丰富 和环境友好的材料。 |
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