| 专利名称 | 一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法 | 申请号 | CN201210284501.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102757043A | 公开（授权）日 | 2012.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 刘立伟;龚佑品;龙明生;高嵩;朱超;耿秀梅 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法 至一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备定向石墨烯纳米带阵列的方法。作为优选方案之一，该方法包括如下步骤：（1）在经抛光处理的衬底表面沉积纳米金属催化剂颗粒；（2）在所述衬底表面生长定向排布的碳纳米管；（3）在所述衬底表面沉积薄层氢前金属薄膜；（4）以酸性溶液处理所述衬底表面，将所述碳纳米管沿轴向剖开形成石墨烯纳米带阵列。本发明工艺简单，易于实施，且所制得的GNR具有高的定向性、高的密度、低的面内缺陷密度和边缘无序、高的电子迁移率，且GNR阵列的密度等还可以通过定向碳管的生长工艺以及刻蚀工艺来控制，同时，基于该GNR阵列的器件还具有良好电学传导性能，在自旋电子学、传感器、晶体管等领域具有重要应用前景。 |
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