| 专利名称 | 离子注入设备的监测方法 | 申请号 | CN201110095828.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751209A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 专利有效期 | 离子注入设备的监测方法 至离子注入设备的监测方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种离子注入设备的监测方法，在离子注入工艺中，通过对产品晶圆上的管芯内焊盘区域进行热波数据测量，并将热波数据送入SPC设备进行处理，由于是对产品晶圆而不是对裸晶圆进行检测，所以本发明能够及时并且准确地监测离子注入设备的状态，进而能根据需要对离子注入设备进行随时的调控，使各批次晶圆的离子注入工艺结果稳定、一致。 |
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