| 专利名称 | 半导体制造方法 | 申请号 | CN201110095459.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102751182A | 公开（授权）日 | 2012.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李春龙;李俊峰 | 主分类号 | H01L21/266(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/266(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体制造方法 至半导体制造方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种半导体制造方法，在批量离子注入工艺中，在虚设晶圆上形成与欲进行离子注入的晶圆上相同的光刻胶图案，这样，虚设晶圆与欲进行离子注入的晶圆的光刻胶传输比(PR?transmission?ratio)相同，因此同一批次中的各个晶圆总的光刻胶传输比可以保持稳定和一致，这使所需要的压力补偿在各个晶圆处保持稳定，便于控制，从而使最终的批量注入剂量可以保持稳定和一致。 |
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