| 专利名称 | 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法 | 申请号 | CN200810201901.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101388401 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法 至二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种二极管驱动电阻转换存储器单元及其制造方法，包括基底、设置在基 底上的第一导电类型半导体、设置在半导体上的具有电阻转换能力的存储单元以及设置在电 阻转换存储单元上的电极；所述第一导电类型半导体与存储单元相邻的表面具有第二导电类 型掺杂，所述第二导电类型掺杂与未被掺杂的第一导电类型半导体构成驱动二极管结构，进 而对上方的存储单元进行选通和驱动。本发明通过扩散工艺使存储器材料扩散到半导体中形 成二极管结构，从而大幅度提高存储器的存储密度，而且本发明的工艺简便，成本低，能够 增强二极管驱动电阻转换存储器单元的市场竞争能力。 |
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