| 专利名称 | 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 | 申请号 | CN200710121658.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101388345 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 崔军朋;段垚;王晓峰;曾一平 | 主分类号 | H01L21/36(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/36(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 至在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种在金属衬底上生长ZnO薄膜的方法，其特征 在于，包括以下步骤：步骤1：取一金属衬底；步骤 2：对金属衬底进行抛光，以获得较光滑的表面；步 骤3：将抛光后的金属衬底表面清洗干净；步骤4： 将清洗干净的金属衬底放入生长设备中，在金属衬底 上生长缓冲层；步骤5：在缓冲层上生长ZnO薄膜， 完成在金属衬底上ZnO薄膜的制备。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障