| 专利名称 | 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 | 申请号 | CN200810202084.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101388331 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 欧欣;王曦;张苗 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 至制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬 底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层， 以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通 道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。本发明的优点在于，在单晶硅衬底 中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为 氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长 大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中 氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而 产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质 量。 |
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