| 专利名称 | 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料 | 申请号 | CN200810223525.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101386984 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;胡承刚;赵泽宇;陈旭南 | 主分类号 | C23C28/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C28/00(2006.01)I;C23F17/00(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23G1/00(2006.01)I;G03F7/004(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/36(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料 至基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 基于非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料，其特征在于：选择石英基片 并将表面抛光，在其表面蒸镀SiO2膜；在SiO2膜表面蒸镀铬膜，在铬膜上涂覆光刻胶层；采 用电子束光刻方法，在光刻胶上制备介质光栅结构；采用湿法腐蚀技术，将光刻胶作为掩模， 腐蚀裸露铬膜；采用干法腐蚀技术，将铬膜作掩模，在SiO2膜上刻蚀介质光栅结构，去除铬 膜；采用侧向真空沉积技术，在SiO2光栅结构一侧侧向沉积厚度h金属层；同样在SiO2光栅 结构另一侧沉积相同厚度的金属层，形成顶部厚度2h，侧壁宽度h的“Π”形金属结构，基于 非对称金属光栅结构的双频可调磁共振人工复合材料制作完成。本发明具有制作简便，单 层损耗小，单层正入射以及双频的特性，在磁共振、近场光学、隐身材料等领域具有启 示的意义以及很大的应用前景。 |
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