| 专利名称 | 非布司他新型晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200810201652.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101386605 | 公开（授权）日 | 2009.03.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海药物研究所;江苏正大天晴药业股份有限公司 | 发明（设计）人 | 邓斐;张金生 | 主分类号 | C07D277/56(2006.01)I | IPC主分类号 | C07D277/56(2006.01)I;A61P19/06(2006.01)I | 专利有效期 | 非布司他新型晶体及其制备方法 至非布司他新型晶体及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及晶体晶型的控制技术，更具体而言，涉及一种非布司他的 新型晶体(定义为晶型K)及其制备方法。该晶型晶体的X射线粉末衍射 图在反射角2θ在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2， 12.74±0.2，17.18±0.2和26.12±0.2°处具有特征峰。其制备方法包括：非布 司他在1，4-二氧六环中加热溶解后，或者非布司他在1，4-二氧六环与选自正 己烷、石油醚和环己烷中的一种溶剂的混合溶剂中加热溶解后，冷却结晶， 得到非布司他晶型K晶体。本发明的晶型K晶体在正常存储条件下具有很 好的稳定性，且其制备过程中所用的溶剂安全性高，非布司他在1，4-二氧 六环构成的溶剂系统中易生成结晶，所得结晶纯度高，更有利于产品开发。 |
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